セミナー

INNOPELシンポジウム2023 3年間の成果と今後の展望

革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業
(Innovative Power Electronics Technologies:INNOPEL)

セミナーカテゴリー

2023.8.23

株式会社三菱総合研究所

概要

文部科学省の「革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業(Innovative Power Electronics Technologies:INNOPEL)」において、INNOPELシンポジウム2023を開催いたします。

本事業では、学理究明も含めた基礎基盤研究の推進により、GaN等の優れた材料特性を実現できるパワーデバイスやその特性を最大限活かすことのできるパワエレ回路システム、その回路動作に対応できる受動素子等を創出し、超省エネ・高性能なパワエレ技術の創出を実現することを目的としています。

事業開始から3年目を迎えた今回のシンポジウムでは、各研究テーマの研究開発をはじめとした、本事業における活動成果を発表いたします。

今年度のシンポジウムでは、各テーマの研究成果を紹介するとともに、事業全体の取組である「受動素子の技術ロードマップの検討」活動の趣旨、検討状況を紹介します。あわせて、口頭発表だけではなく、対面開催の会場においては、ポスターセッションによる研究者との意見交換の場も設けることといたしましたので、是非現地にも足をお運びください。
更新情報
2024年2月29日 シンポジウムは終了しました。
2024年2月22日 参加申込を終了しました。
2024年2月15日 ポスター発表タイトル一覧を更新いたしました。
2024年1月22日 ポスター発表タイトル一覧を追加いたしました。
2023年12月15日 参加申込を開始いたしました。

開催概要

開催日
2024年2月28日(水) 10:00~19:00 ※終了しました

開催方法
ハイブリッド開催(会場 300名 / オンライン 500名)

会場
文部科学省 3階 第1講堂
(〒100-8959 東京都千代田区霞が関3丁目2番2号)

主催
文部科学省

協力
株式会社三菱総合研究所

参加費
無料

プログラム

シンポジウムの詳細は下記チラシをご覧ください。また、現地会場ではポスターセッションも開催しますので、ぜひ現地会場に足をお運びください。
10:00

開会挨拶

文部科学省 研究開発局

10:05

革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業の概要について

大森 達夫 プログラムディレクター(PD)

10:15

研究テーマの成果報告① 【受動素子領域】

磁気異方性軟磁性材料を用いた高周波・電力変換用トランス・インダクタの開発

水野 勉 テーマリーダー(信州大学)


次世代パワエレに向けた高磁束密度・低損失磁性材料およびデバイス創成への挑戦 2.0

岡本 聡 テーマリーダー(NIMS/東北大学)


次世代高電力密度パワエレ機器に向けた高性能固体コンデンサの開発

幅崎 浩樹 テーマリーダー(北海道大学)

11:40

研究テーマの成果報告② 【次々世代・周辺技術領域】

次々世代パワエレ用高飽和磁束密度窒化鉄の研究

齊藤 伸 テーマリーダー(東北大学)


次々世代パワエレ用受動素子の創製に向けた革新的高誘電率常誘電体の開発

谷口 博基 テーマリーダー(名古屋大学)


革新パワーデバイス応用に向けたダイヤモンド半導体基盤技術検証

竹内 大輔 テーマリーダー(産業技術総合研究所)


GaN PSJ HEMT/SiC ハイブリッドデバイスの開発

原田 信介 テーマリーダー(産業技術総合研究所)

13:00 昼休憩
14:00

ポスターセッション

(各研究テーマから数件程度の発表を予定 ※現地のみ開催)

15:30

研究テーマの成果報告③

【パワーデバイス領域】

社会実装を目指したGaN縦型パワーデバイス作製技術の確立

天野 浩 テーマリーダー(名古屋大学)


【次々世代・周辺技術領域】

走査型非線形誘電率顕微鏡を用いたGaN-MOSの高性能化に資する計測評価

長 康雄 テーマリーダー(東北大学)


非基底面NO窒化SiC MOS界面と信頼性の評価

渡部 平司 テーマリーダー(大阪大学)


新規ルツボフリー結晶成長法を用いたβ-Ga2O3 単結晶育成

吉川 彰 テーマリーダー(東北大学)

17:05

研究テーマの成果報告④

【パワエレ回路システム領域】

脱炭素社会実現に向けた集積化パワーエレクトロニクスの研究開発

高橋 良和 テーマリーダー(東北大学)


高効率SST実現に向けた回路・制御・実装技術

和田 圭二 テーマリーダー(東京都立大学)


【次々世代・周辺技術領域】

GaNデバイスで拓く超高周波パワーコンバータの開発

佐藤 之彦 テーマリーダー(千葉大学)

18:25

受動素子技術ロードマップの検討について

山口 正洋 プログラムオフィサー(PO)/ 清水 敏久 プログラムオフィサー(PO)

19:00

閉会挨拶

大森 達夫 プログラムディレクター(PD)

プログラムは都合により変更になる場合がありますので予めご了承ください

申込要領

定員
会場参加 300名 / オンライン参加 500名 ※先着順

参加費
無料

お問い合わせ先

内容に関する
お問い合わせ

株式会社三菱総合研究所
〒100-8141 東京都千代田区永田町二丁目10番3号
INNOPELシンポジウム2023事務局 中村 磯貝 山野
E-mail:innopel-sympo@ml.mri.co.jp